Tungstène & Molybdène Parts ho an'ny Ion Implantation
Tungstène & Molybdène Parts ho an'ny Ion Implantation
Manome kojakoja tungstène sy molybdène avo lenta izahay.Ny vokatray dia manana habe potika tsara, hakitroky havanana mihoatra ny 99%, toetra mekanika avo lenta kokoa noho ny fitaovana tungstène-molybdène mahazatra, ary fiainana lava kokoa.
Ireo singa implantation ion ireo dia ahitana:
•Electron émission cathode shielding cylinder.
•birao fandefasana.
•Andry afovoany.
•Plate filament interrupter, sns.
Ion Implantation Parts Information
| Anaran'ny vokatra | Ion Implantation Parts |
| KEVITRA | Tungstène madio (W) / Molybdène madio (Mo) |
| fahadiovana | 99,95% |
| hakitroky | W: 19.3g/cm³ / Mo: 10.2g/cm³ |
| Teboka fandoroana | W: 3410 ℃ / Mo: 2620 ℃ |
| Teboka mangotraka | W: 5660 ℃ / Mo: 5560 ℃ |
| Fanamarihana: Fikarakarana araka ny sary | |
Ion implantation
Ny implantation Ion dia dingana manan-danja amin'ny famokarana semiconductor.Ny rafitra implanter dia mampiditra atôma vahiny ao anaty wafer mba hanovana ny fananana ara-materialy, toy ny conductivity elektrika na rafitra kristaly.Ny lalan'ny taratra ion no ivon'ny rafitra implanter.Any no misy ion, mivondrona, ary manafaingana mankany amin'ny wafer amin'ny hafainganam-pandeha avo dia avo.
Rehefa miova ho ion plasma ny loharano ion, dia miforona ny maripana miasa mihoatra ny 2000°C.Rehefa avoaka ny taratra ion dia mamokatra angovo kinetika ion be dia be koa izy.Matetika ny metaly dia mirehitra sy miempo haingana.Noho izany, ny metaly mendri-kaja miaraka amin'ny density faobe avo kokoa dia ilaina mba hitazonana ny fitarihana ny famotsorana ny taratra ion ary hampitombo ny faharetan'ny singa.Tungstène sy molybdène no fitaovana tsara indrindra.
Fa maninona no misafidy akora Tungstène & Molybdène ho an'ny Ion Implantation Components
•Ny fanoherana ny harafesina tsara•Hery ara-nofo avo lenta•Conductivity mafana tsara
Izy ireo dia miantoka fa ny ion dia voavolavola tsara ary mifantoka tsara amin'ny wafer amin'ny lalan'ny taratra ary tsy misy loto.
Ny tombontsoantsika
•Akora avo lenta
•Teknolojia famokarana mandroso
•Precision CNC machining
•Fanaraha-maso kalitao hentitra
•Fotoana fanaterana fohy kokoa
Izahay dia manatsara mifototra amin'ny dingan'ny famokarana tany am-boalohany ny fitaovana tungstène sy molybdène.Amin'ny alàlan'ny fanadiovana voamaina, ny fitsaboana alloying, ny sintering vacuum sy ny fanamafisana ny sintering isostatic mafana, ny fanatsarana ny voam-bary faharoa sy ny teknolojia fanodinana voafehy, ny fanoherana ny hafanana avo, ny fanoherana ny creep ary ny fiainan'ny fitaovana tungstène sy molybdène dia mihatsara.
Semiconductor Ion Implantation Technology
Ny implantation Ion dia dingana mahazatra ampiasaina amin'ny doping sy ny fanovana ny fitaovana semiconductor.Ny fampiharana ny teknolojia implantation ion dia nampiroborobo be ny fampivoarana ny fitaovana semiconductor sy ny indostrian'ny faritra mitambatra.Noho izany dia miditra amin'ny vanim-potoana lehibe sy ultra-lehibe (ULSI) ny famokarana circuit integrated.
Mifandraisa aminay
Amanda│Mpitantana varotra
E-mail: amanda@winnersmetals.com
Phone: +86 156 1977 8518(WhatsApp/Wechat)
Raha te-hahafantatra bebe kokoa momba ny antsipiriany sy ny vidin'ny vokatrao ianao dia mifandraisa amin'ny mpitantana ny varotra, hamaly anao haingana izy (matetika tsy mihoatra ny 24h), misaotra.
